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991.
在试验设计中,一阶回归模型通常被作为合格拟合模型用来从众多因子中筛选出效应显著的特殊因子,而Q和Q_B准则能够比较简单地从大量的合格拟合模型中找出具有最优性质的设计.主要探讨了当拟合模型为一阶回归模型时,二水平的初始设计d与其Double设计(d d d -d)在Q和Q_B准则下的最优关系.给出了初始设计d的Q和Q_B值与其Double设计的Q和Q_B值之间的解析关系,从而得到在Q或Q_B准则下如果初始设计d是最优的,那么其Double设计也是最优的.此外,也分别给出了初始设计d及其Double设计的Q值和Q_B值的一个下界. 相似文献
992.
993.
将Mg粉、Zr粉和B粉按比例混合获得Mg1-xZrxB2(x=5%10%和20%),压制成型后,在流通氩气的条件下于800℃烧结2h.利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)分析烧结后样品的显微结构和化学组成,采用差热分析(DTA)观察Zr掺杂对MgB2分解温度的影响,并用物性测试仪(PPMS)测试样品的超... 相似文献
994.
995.
采用B3LYP和CCSD(T)方法对泰坦大气中苯分子以及最终产物的各种生成机理和最有效反应通道进行了详细分析。采用B3LYP、MP4、AM1方法对苯的溴代反应过程中的相关能量进行比较研究,并对反应中电子转移的过程进行了讨论。 相似文献
996.
997.
通过测量光电流,直接观察了InGaN/GaN量子阱中载流子的泄漏程度随温度升高的变化关系。当LED温度从300K升高到360K时,在相同的光照强度下,LED的光电流增大,说明在温度上升之后,载流子从量子阱中逃逸的数目更多,即载流子泄漏比例增大。同时,光电流的增大在激发密度较低的时候更为明显,而且光电流随温度的增加幅度与激发光子的能量有关。用量子阱-量子点复合模型能很好地解释所观察到的实验现象。实验结果直接证明,随着温度的升高,InGaN/GaN量子阱中的载流子泄漏将显著增加,而且在低激发密度下这一效应更为明显。温度升高导致的载流子泄漏增多是InGaN多量子阱LED发光效率随温度升高而降低的重要原因。 相似文献
998.
汽车废弃塑料的再生利用及其产业化可以变废为宝,减少资源浪费和环境污染。本文综述了近年来汽车废弃塑料的分拣回收和再生利用技术的现状。发展高效的废弃塑料分拣设备和高附加值的再生制品是现今研究的重点。结合国内外的行业发展状况,探讨了我国在发展高附加值的再生制品、可循环利用塑料材料和建立再生塑料的质量安全标准上面临的挑战。 相似文献
999.
以咔唑、对氟苯甲醛和吡咯为原料制得meso-四(4-咔唑)苯基卟啉(TCPP)。以对硝基苯甲醛与吡咯为原料制得meso-四(4-硝基)苯基卟啉(TNPP); TNPP经还原反应制得meso-四(4-氨基苯基)卟啉(TAPP); TAPP与咔唑苯甲醛经缩合反应制得新型meso-四[对-(P-N-咔唑基亚苄基亚氨基)]苯基卟啉(TCIPP),其结构和性能经UV-Vis, 1H NMR, 13C NMR, IR,元素分析和循环伏安法(CV)表征。结果表明:TCPP在270~300 nm处有新吸收峰;TCIPP的Q带和B带相比于TCPP有明显红移。TCPP和TCIPP的ELUMO和EHOMO分别为-3.18 eV, -5.17 eV和-3.49 eV, -5.08 eV,两者的能级结构与纳米TiO2的导带能级相匹配。 相似文献
1000.